MJD32CRLG
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MJD32CRLG
概述
类型:PNP
集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100
集电极最大电流IC(Max)(A):3
直流电流增益hFE最小值(dB):10
直流电流增益hFE最大值(dB):-
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):3
总功耗PD(W):15
封装/温度(℃):3DPAK/-65~150
数据手册
NJVMJD32T4G.pdf
MJD32C-13.pdf
MJD32C-13.pdf
NJVMJD32CT4G.pdf
NJVMJD32CT4G.pdf
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型号:
NJVMJD32T4G
制造商:
ON(安森美)
描述:
TRANS PNP 40V 3A DPAK-4
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型号:
MJD32C-13
制造商:
DIODES(美台)
描述:
TRANS PNP 100V 3A TO252-3L
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型号:
MJD32C-13
制造商:
DIODES(美台)
描述:
TRANS PNP 100V 3A TO252-3L
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型号:
NJVMJD32CT4G
制造商:
ON(安森美)
描述:
TRANS PNP 100V 3A DPAK
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型号:
NJVMJD32CT4G
制造商:
ON(安森美)
描述:
TRANS PNP 100V 3A DPAK
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