MJD32CRLG

概述
类型:PNP
集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100
集电极最大电流IC(Max)(A):3
直流电流增益hFE最小值(dB):10
直流电流增益hFE最大值(dB):-
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):3
总功耗PD(W):15
封装/温度(℃):3DPAK/-65~150
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型号: NJVMJD32T4G
制造商: ON(安森美)
描述:TRANS PNP 40V 3A DPAK-4
型号: MJD32C-13
制造商: DIODES(美台)
描述:TRANS PNP 100V 3A TO252-3L
型号: MJD32C-13
制造商: DIODES(美台)
描述:TRANS PNP 100V 3A TO252-3L
制造商: ON(安森美)
描述:TRANS PNP 100V 3A DPAK
制造商: ON(安森美)
描述:TRANS PNP 100V 3A DPAK

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