MMSZ18T1G

齐纳击穿电压Vz最小值(V):17.100
齐纳击穿电压Vz典型值(V):18
齐纳击穿电压Vz最大值(V):18.900
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):45
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:X2
封装/温度(℃):SOD123/-65~150