MURA160T3G

概述
峰值反向电压VRRM(V):600
最大平均正向电流IO(A):1
最大全周期正向压降VF(V):1.250
最大非重复浪涌电流IFSM(A):30
最大反向电流IR(mA):0.150
封装/温度(℃):SMA/-65~175

数据手册

MURA115T3G.pdfMURA115T3G.pdfMURA115T3G.pdfMURA105T3G.pdfMURA105T3G.pdf
在线购买
型号： MURA115T3G
制造商： ON(安森美)
描述：DIODE GEN PURP 150V 2A SMA
立即购买
型号： MURA115T3G
制造商： ON(安森美)
描述：DIODE GEN PURP 150V 2A SMA
立即购买
型号： MURA115T3G
制造商： ON(安森美)
描述：DIODE GEN PURP 150V 2A SMA
立即购买
型号： MURA105T3G
制造商： ON(安森美)
描述：DIODE GEN PURP 50V 2A SMA
立即购买
型号： MURA105T3G
制造商： ON(安森美)
描述：DIODE GEN PURP 50V 2A SMA
立即购买

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台