MSB1218A-RT1G

概述
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大):100µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):210 @ 2mA, 10V
功率 - 最大:150mW
频率 - 转换:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70-3, SOT-323-3
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:SC-70
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型号: MSB12M-13
制造商: DIODES(美台)
描述:BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.2A 4MSB
制造商: ON(安森美)
描述:TRANS PNP BIPOLAR SOT323-3
制造商: ON(安森美)
描述:TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323
制造商: ON(安森美)
描述:TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323
制造商: ON(安森美)
描述:TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323

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