MMSZ5232BT1G

概述
齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.320
齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600
齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.880
@Izt(mA):20
齐纳阻抗Zzt(Ω):11
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:E2
封装/温度(℃):SOD123/-55~150

数据手册

MMSZ5231B-E3-18.pdfMMSZ5231B-7-F.pdfMMSZ5231B-E3-18.pdfMMSZ5231B-E3-18.pdfMMSZ5231B-7-F.pdf
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型号： MMSZ5231B-E3-18
制造商： VISHAY(威世)
描述：DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
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型号： MMSZ5231B-7-F
制造商： DIODES(美台)
描述：DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
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