NTS2101PT1G

源漏极间雪崩电压VBR(V):8
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100
最大漏极电流Id(on)(A):1.400
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150
描述:-8 V, -1.4 A,双功率MOSFET