NTB22N06L

概述
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):75
最大漏极电流Id(on)(A):22
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):D2PAK/-55~175
描述:15A,60V功率MOSFET

数据手册

NTB22N06LT4.pdfNTB22N06T4.pdfNTB22N06LT4.pdfNTB22N06T4.pdfNTB22N06L.pdf
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型号： NTB22N06LT4
制造商： ROCHESTER(罗彻斯特电子)
描述：N-CHANNEL POWER MOSFET
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型号： NTB22N06T4
制造商： ON(安森美)
描述：MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK-3
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型号： NTB22N06LT4
制造商： ON(安森美)
描述：MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK-3
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型号： NTB22N06T4
制造商： ROCHESTER(罗彻斯特电子)
描述：N-CHANNEL POWER MOSFET
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型号： NTB22N06L
制造商： ROCHESTER(罗彻斯特电子)
描述：N-CHANNEL POWER MOSFET
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