类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：34 毫欧 @ 4.8A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.8A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：35nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2100pF @ 16V
功率 - 最大：1.3W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-ChipFET™
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：ChipFET
其它名称：NTHS4101PT1GOSNTHS4101PT1GOS-NDNTHS4101PT1GOSTR