NGB8204NT4

制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-263-3
集电极—发射极最大电压 VCEO: 430 V
集电极—射极击穿电压: 395 V
集电极—射极饱和电压: 40 V
栅极/发射极最大电压: 18 V
集电极最大连续电流 Ic: 18 A
栅极—射极漏泄电流: 115 W
功率耗散: 115 W
封装: Reel
配置: Single