NTLJD2105LTBG参数/概述/特性/在线购买_NTLJD2105LTBG中文资料PDF_锐单电子商城

概述

源漏极间雪崩电压VBR(V):-8
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50@4.5V
最大漏极电流Id(on)(A):4.300
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):WDFN6/-55 ~150
描述:4.3A, 8V功率MOSFET

数据手册

NTLJD3182FZTAG.pdf NTLJD3182FZTAG.pdf NTLJD3182FZTBG.pdf NTLJD4116NT1G.pdf NTLJD3115PT1G.pdf

在线购买

型号： NTLJD3182FZTAG

制造商： ROCHESTER(罗彻斯特电子)

描述：SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

型号： NTLJD3182FZTAG

制造商： ON(安森美)

描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

型号： NTLJD3182FZTBG

制造商： ON(安森美)

描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

型号： NTLJD4116NT1G

制造商： ON(安森美)

描述：MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN

型号： NTLJD3115PT1G

制造商： ON(安森美)

描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN