PN3640

概述
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大):10nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):30 @ 10mA, 300mV
功率 - 最大:350mW
频率 - 转换:500MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
包装:散装
供应商设备封装:*
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型号: PN3643
描述:SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
型号: PN3646
描述:SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
型号: PN3642
描述:SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
型号: PN3645
描述:SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
型号: PN3644
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