QEB373_Q
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QEB373_Q
概述
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: 红外发射源
波长: 880 nm
射束角: 12 deg
辐射强度: 16 mW/sr (Min)
最大正向电流: 50 mA
最大功率耗散: 100 mW
最大工作温度: + 100 C
最小工作温度: - 40 C
封装 / 箱体: T-3/4
封装: Bulk
安装风格: SMD/SMT
数据手册
QEB373GR.pdf
QEB373GR.pdf
QEB373GR.pdf
QEB373.pdf
QEB373ZR.pdf
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型号:
QEB373GR
制造商:
ON(安森美)
描述:
EMITTER IR 875NM 50MA SMD
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型号:
QEB373GR
制造商:
ON(安森美)
描述:
EMITTER IR 875NM 50MA SMD
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型号:
QEB373GR
制造商:
ON(安森美)
描述:
EMITTER IR 875NM 50MA SMD
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型号:
QEB373
制造商:
ON(安森美)
描述:
EMITTER IR 875NM 50MA AXIAL
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型号:
QEB373ZR
制造商:
ON(安森美)
描述:
EMITTER IR 875NM 50MA SMD
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