QEB373_Q

概述
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: 红外发射源
波长: 880 nm
射束角: 12 deg
辐射强度: 16 mW/sr (Min)
最大正向电流: 50 mA
最大功率耗散: 100 mW
最大工作温度: + 100 C
最小工作温度: - 40 C
封装 / 箱体: T-3/4
封装: Bulk
安装风格: SMD/SMT
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型号: QEB373GR
制造商: ON(安森美)
描述:EMITTER IR 875NM 50MA SMD
型号: QEB373GR
制造商: ON(安森美)
描述:EMITTER IR 875NM 50MA SMD
型号: QEB373GR
制造商: ON(安森美)
描述:EMITTER IR 875NM 50MA SMD
型号: QEB373
制造商: ON(安森美)
描述:EMITTER IR 875NM 50MA AXIAL
型号: QEB373ZR
制造商: ON(安森美)
描述:EMITTER IR 875NM 50MA SMD

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