RLZTE-119.1B
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RLZTE-119.1B
概述
类别:分离式半导体产品
家庭:单二极管/齐纳
系列:-
电压 - 齐纳(标称)(Vz):9.1V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):-
电流 - 在 Vr 时反向漏电:500nA @ 6V
容差:-
功率 - 最大:500mW
阻抗(最大)(Zzt):8 欧姆
安装类型:表面贴装
封装/外壳:LL-34, LLDS, MiniMELF, SOD80C
包装:带卷 (TR)
工作温度:-
供应商设备封装:LLDS
数据手册
RLZTE-114.3B.pdf
RLZTE-1127B.pdf
RLZTE-1122B.pdf
RLZTE-1118C.pdf
RLZTE-1120A.pdf
在线购买
型号:
RLZTE-114.3B
制造商:
ROHM(罗姆)
描述:
DIODE ZENER 4.3V 500MW LLDS
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型号:
RLZTE-1127B
制造商:
ROHM(罗姆)
描述:
DIODE ZENER 25.6V 500MW LLDS
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型号:
RLZTE-1122B
制造商:
ROHM(罗姆)
描述:
DIODE ZENER 21.2V 500MW LLDS
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型号:
RLZTE-1118C
制造商:
ROHM(罗姆)
描述:
DIODE ZENER 17.3V 500MW LLDS
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型号:
RLZTE-1120A
制造商:
ROHM(罗姆)
描述:
DIODE ZENER 19.1V 500MW LLDS
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