SI4971DY-T1-E3
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SI4971DY-T1-E3
概述
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:DualDualDrain
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:30V
闸/源击穿电压:+/-25V
漏极连续电流:5.4A
功率耗散:1100mW
最大工作温度:+150C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOIC-8Narrow
封装:Reel
最小工作温度:-55C
StandardPackQty:2500
数据手册
SI4972DY-T1-GE3.pdf
SI4973DY-T1-GE3.pdf
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在线购买
型号:
SI4972DY-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
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型号:
SI4973DY-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
描述:
MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
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型号:
SI4972DY-T1-E3
制造商:
SILICONIX(威世)
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
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SI4972DY-T1-E3
制造商:
SILICONIX(威世)
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
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SI4972DY-T1-E3
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SILICONIX(威世)
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
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