SI4412ADY参数/概述/特性/在线购买_SI4412ADY中文资料PDF_锐单电子商城

概述

制造商：Vishay
RoHS：否
配置：SingleQuadDrainTripleSource
晶体管极性：N-Channel
电阻汲极/源极RDS（导通）：0.035Ohms
汲极/源极击穿电压：30V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：5.8A
功率耗散：1.3W
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SO-8
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：100

数据手册

SI4410DYTRPBF.pdf SI4410DYTRPBF.pdf SI4410DYTRPBF.pdf SI4410DYPBF.pdf SI4413ADY-T1-E3.pdf

在线购买

型号： SI4410DYTRPBF

制造商： INFINEON(英飞凌)

描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

型号： SI4410DYTRPBF

制造商： INFINEON(英飞凌)

描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

型号： SI4410DYTRPBF

制造商： INFINEON(英飞凌)

描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

型号： SI4410DYPBF

制造商： ROCHESTER(罗彻斯特电子)

描述：HEXFET POWER MOSFET

型号： SI4413ADY-T1-E3

制造商： SILICONIX(威世)

描述：MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC