SI4431ADY

概述
制造商：Vishay
RoHS：否
配置：SingleQuadDrainTripleSource
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：30V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：5.3A
功率耗散：1350mW
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SOIC-8Narrow
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：100

数据手册

SI4434ADY-T1-GE3.pdfSI4434ADY-T1-GE3.pdfSI4434ADY-T1-GE3.pdfSI4435DY.pdfSI4435DY.pdf
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型号： SI4434ADY-T1-GE3
制造商： SILICONIX(威世)
描述：MOSFET N-CHAN 250V SO-8
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型号： SI4434ADY-T1-GE3
制造商： SILICONIX(威世)
描述：MOSFET N-CHAN 250V SO-8
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型号： SI4434ADY-T1-GE3
制造商： SILICONIX(威世)
描述：MOSFET N-CHAN 250V SO-8
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型号： SI4435DY
制造商： ON(安森美)
描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
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型号： SI4435DY
制造商： ON(安森美)
描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
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