SI4490DY

概述
制造商：Vishay
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：否
配置：SingleQuadDrainTripleSource
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：200V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：2.85A
功率耗散：1560mW
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SO-8
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：100

数据手册

SI4490DY-T1-GE3.pdfSI4490DY-T1-GE3.pdfSI4490DY-T1-GE3.pdfSI4490DY-T1-E3.pdfSI4490DY-T1-E3.pdf
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型号： SI4490DY-T1-GE3
制造商： SILICONIX(威世)
描述：MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
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