SI3456BDV-T1-E3参数/概述/特性/在线购买_SI3456BDV-T1-E3中文资料PDF_锐单电子商城

概述

制造商：Vishay
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：SingleQuadDrain
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：4.5A
功率耗散：1100mW
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：TSOP-6
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：3000

数据手册

SI3457DV.pdf SI3457DV.pdf SI3457DV.pdf SI3457CDV-T1-GE3.pdf SI3457CDV-T1-GE3.pdf

在线购买

型号： SI3457DV

制造商： ON(安森美)

描述：MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6

型号： SI3457DV

制造商： ON(安森美)

描述：MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6

型号： SI3457DV

制造商： ON(安森美)

描述：MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6

型号： SI3457CDV-T1-GE3

制造商： SILICONIX(威世)

描述：MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP

型号： SI3457CDV-T1-GE3

制造商： SILICONIX(威世)

描述：MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP