UCC5390-Q1是具有10A源电流和10A灌电流峰值电流的单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动MOSFET,IGBT和SiC MOSFET。UCC5390-Q1的UVLO2以GND2为参考,这有助于实现双极性电源并优化SiC和IGBT的开关性能和鲁棒性。
UCC5390-Q1采用8.5毫米SOIC-8(DWV)封装,可支持高达5kV RMS的隔离电压。输入端与输出端采用SiO 2电容隔离技术隔离,隔离栅寿命超过40年。该器件具有很高的驱动强度和真正的UVLO检测功能,非常适合在车载充电器和牵引逆变器等应用中驱动IGBT和SiC MOSFET。
与光耦合器相比,UCC5390-Q1具有较低的部件间偏斜,较低的传播延迟,较高的工作温度和较高的CMTI。