UCC21736-Q1是电隔离单通道栅极驱动器，设计用于最高2121V DC工作电压的SiC MOSFET和IGBT，具有先进的保护功能，一流的动态性能和耐用性。UCC21736-Q1具有高达±10A的峰值源电流和灌电流。
输入侧与输出侧采用SiO 2 电容隔离技术隔离，支持高达1.5kV RMS的工作电压，12.8kV PK浪涌抗扰度，且隔离栅寿命超过40年，并且提供了较低的部件间绝缘性能。部分偏斜，> 150V / ns共模噪声抑制（CMTI）。
UCC21736-Q1具有最新的保护功能，例如快速的过流和短路检测，支持并联电流检测，故障报告，有源米勒钳位，输入和输出侧电源UVLO，以优化SiC和IGBT的开关性能以及健壮性。ASC功能可用于在系统故障期间强制接通电源，从而进一步提高了驱动器的通用性，并简化了系统设计工作，尺寸和成本。
5.7kV RMS单通道隔离式栅极驱动器
符合AEC-Q100的汽车应用要求
最高2121 V pk的 SiC MOSFET和IGBT
最大33V输出驱动电压（VDD-VEE）
±10A驱动强度和分离输出
最低150V / ns CMTI
200ns响应时间快速过流保护
外部主动铣刀夹
故障发生时900-mA软关断
系统故障时，隔离侧的ASC输入可打开电源开关
在电流过大时发出FLT警报并从RST / EN 复位
在RST / EN 上快速启用/禁用响应
抑制输入引脚上的<40 ns噪声瞬变和脉冲
12V VDD UVLO和-3V VEE UVLO，在RDY上电源正常
具有过冲/欠冲瞬态电压的输入/输出抗扰性高达5 V
130 ns（最大）传播延迟和30 ns（最大）脉冲/部分偏斜
SOIC-16 DW封装，爬电距离和电气间隙> 8 mm
工作结温–40°C至150°C
