UCC21750是电隔离单通道栅极驱动器，设计用于最高2121V DC工作电压的SiC MOSFET和IGBT，具有先进的保护功能，一流的动态性能和耐用性。UCC21750具有高达±10A的峰值源电流和灌电流。
输入侧与输出侧采用SiO 2 电容隔离技术隔离，支持高达1.5kV RMS的工作电压，12.8kV PK浪涌抗扰度，且隔离栅寿命超过40年，并且提供了较低的部件间绝缘性能。部分偏斜和大于150V / ns的共模抗扰性（CMTI）。
UCC21750包括最新的保护功能，例如快速的过流和短路检测，并联电流检测支持，故障报告，有源米勒钳位以及输入和输出侧电源UVLO，以优化SiC和IGBT的开关性能和鲁棒性。隔离的模拟至PWM传感器可用于更轻松地进行温度或电压感测，从而进一步提高了驱动器的通用性，并简化了系统设计工作，尺寸和成本。
5.7kV RMS单通道隔离式栅极驱动器
最高2121V pk的 SiC MOSFET和IGBT
最大33V输出驱动电压（VDD-VEE）
±10A驱动强度和分离输出
最低150V / ns CMTI
200 ns的响应时间快速的DESAT保护
4-A内部有源米勒钳
故障发生时400 mA软关断
带PWM输出的隔离式模拟传感器
使用NTC，PTC或热敏二极管进行温度感测
高压直流母线或相电压
在电流过大时发出FLT警报并从RST / EN 复位
在RST / EN 上快速启用/禁用响应
抑制输入引脚上的<40 ns噪声瞬变和脉冲
12V VDD UVLO，RDY上的电源正常
具有过冲/欠冲瞬态电压的输入/输出抗扰性高达5 V
130 ns（最大）传播延迟和30 ns（最大）脉冲/部分偏斜
SOIC-16 DW封装，爬电距离和电气间隙> 8mm
工作结温–40°C至150°C
| 产品属性 | 属性值 |
| DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating(Vpk) | 8400 |
| Output VCC/VDD(Max)(V) | 33 |
| Input VCC(Min)(V) | 3 |
| Number of channels(#) | 1 |
| Power switch | IGBT SiCFET |
| Rating | Catalog |
| Prop delay(ns) | 90 |
| DIN V VDE V 0884-10 working voltage(Vpk) | 2121 |
| Package Group | SOIC|16 |
| Isolation rating(Vrms) | 5700 |
| Input VCC(Max)(V) | 5.5 |
| Operating temperature range(C) | -40 to 125 |
| Output VCC/VDD(Min)(V) | 13 |
| Peak output current(A) | 10 |
