类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN 雪崩模式
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：500mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大）：-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：25 @ 10mA, 10V
功率 - 最大：680mW
频率 - 转换：40MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-92-3（标准主体），TO-226
包装：散装
供应商设备封装：*