3AD6B
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3AD6B
概述
生产厂家:中国大陆半导体企业
制作材料:Ge-PNP
性质:射频/高频放大 (HF),功率放大 (L)
封装形式:射频/高频放大 (HF),功率放大 (L)
极限工作电压:24V
最大电流允许值:2A
最大工作频率:<1MHZ或未知
引脚数:2
可代换的型号:
最大耗散功率:10W
放大倍数:
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