GBU10D
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GBU10D
概述
制造商:GeneSiCSemiconductor
RoHS:是
峰值反向电压:200V
最大RMS反向电压:140V
正向连续电流:10A
最大浪涌电流:220A
正向电压下降:1.1V
最大反向漏泄电流:5uA
最大工作温度:+150C
安装风格:ThroughHole
封装/箱体:GBU
封装:Bulk
最小工作温度:-55C
数据手册
GBU10D-BP.pdf
GBU10A-BP.pdf
GBU10B-BP.pdf
GBU10G-BP.pdf
GBU10J-BP.pdf
在线购买
型号:
GBU10D-BP
制造商:
MCC(美微科)
描述:
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A GBU
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型号:
GBU10A-BP
制造商:
MCC(美微科)
描述:
BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU
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型号:
GBU10B-BP
制造商:
MCC(美微科)
描述:
BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBU
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型号:
GBU10G-BP
制造商:
MCC(美微科)
描述:
BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A GBU
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型号:
GBU10J-BP
制造商:
MCC(美微科)
描述:
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
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