类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：耗尽模式
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：110 欧姆 @ 50mA, 0V
漏极至源极电压(Vdss)：1000V (1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：120pF @ 25V
功率 - 最大：1.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装：管件
供应商设备封装：*