类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：100 毫欧 @ 1.4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.4A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：24nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：400pF @ 25V
功率 - 最大：1W
安装类型：通孔
封装/外壳：4-DIP (0.300", 7.62mm)
包装：管件
供应商设备封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
其它名称：*IRFD020PBF