ISL9V5036S3ST
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ISL9V5036S3ST
概述
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-263AB
集电极—发射极最大电压 VCEO: 390 V
集电极—射极击穿电压: 360 V
集电极—射极饱和电压: 1.17 V
栅极/发射极最大电压: 10 V
集电极最大连续电流 Ic: 31 A
栅极—射极漏泄电流: 250 W
功率耗散: 250 W
封装: Reel
配置: Single
安装风格: SMD
Part # Aliases: ISL9V5036S3STNL
数据手册
ISL9V3040D3ST-F085C.pdf
ISL9V3040D3STV.pdf
ISL9V5045S3ST.pdf
ISL9V5045S3ST.pdf
ISL9V5045S3ST.pdf
在线购买
型号:
ISL9V3040D3ST-F085C
制造商:
ON(安森美)
描述:
ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252
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型号:
ISL9V3040D3STV
制造商:
ON(安森美)
描述:
ECOSPARK1 IGN IGBT TO252
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型号:
ISL9V5045S3ST
制造商:
ON(安森美)
描述:
IGBT 480V 51A 300W D2PAK
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型号:
ISL9V5045S3ST
制造商:
ON(安森美)
描述:
IGBT 480V 51A 300W D2PAK
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型号:
ISL9V5045S3ST
制造商:
ON(安森美)
描述:
IGBT 480V 51A 300W D2PAK
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