IXGH32N90B2D1
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IXGH32N90B2D1
概述
制造商: IXYS
封装 / 箱体: TO-247
集电极—发射极最大电压 VCEO: 900 V
集电极—射极饱和电压: 2.7 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 64 A
封装: Tube
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
数据手册
IXGH32N60B.pdf
IXGH32N60AU1.pdf
IXGH30N60BD1.pdf
IXGH32N60C.pdf
IXGH32N60CD1.pdf
在线购买
型号:
IXGH32N60B
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
描述:
IGBT 600V 60A 200W TO247AD
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型号:
IXGH32N60AU1
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
描述:
IGBT 600V 60A 200W TO247AD
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型号:
IXGH30N60BD1
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
描述:
IGBT 600V 60A 200W TO247
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型号:
IXGH32N60C
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
描述:
IGBT 600V 60A 200W TO247AD
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型号:
IXGH32N60CD1
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
描述:
IGBT 600V 60A 200W TO247AD
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