IXDD409CI
锐单电子商城
IC 百科
IXDD409CI
概述
制造商: IXYS
类型: Low Side
上升时间: 15 ns
下降时间: 15 ns
传播延迟时间: 40 ns
电源电压(最大值): 35 V
电源电压(最小值): 4.5 V
电源电流: 3 mA
最大工作温度: + 125 C
最小工作温度: - 55 C
封装 / 箱体: TO-220
封装: Tube
最大关闭延迟时间: 36 ns
最大开启延迟时间: 40 ns
安装风格: Through Hole
激励器数量: 1
输出端数量: 1
输出电流: 9 A (Typ)
数据手册
IXDD404SIA.pdf
IXDD404SIA-16.pdf
IXDD409CI.pdf
IXDD409PI.pdf
IXDD409SI.pdf
在线购买
型号:
IXDD404SIA
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
立即购买
型号:
IXDD404SIA-16
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
立即购买
型号:
IXDD409CI
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
立即购买
型号:
IXDD409PI
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
立即购买
型号:
IXDD409SI
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
立即购买
首页
选型
品牌
购物车
我的