IXTP3N50P

概述
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:PolarHV™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2 欧姆 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.6A
Id 时的 Vgs(th)(最大):5.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:9.3nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :409pF @ 25V
功率 - 最大:70W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220
包装:管件
供应商设备封装:*
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型号: IXTP3N50D2
描述:MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
描述:MOSFET N-CH 40V 300A TO-220
型号: IXTP32P05T
描述:MOSFET P-CH 50V 32A TO-220
型号: IXTP36P15P
描述:MOSFET P-CH 150V 36A TO-220
型号: IXTP36N30P
描述:MOSFET N-CH 300V 36A TO-220

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