MoSys，Inc.已经开发了近20年的基于内存的产品。它始于1t（晶体管）存储器IP的发展。1T-SRAM的访问速度接近SRAM，但支持接近RLDRAM的密度。大多数内存制造商都把重点放在速度或密度的内存特性上，他们相信“一刀切”。作为MoSys记忆进化的一部分，在许多系统中完成的常见任务被识别出来，并作为智能内存函数添加到内存中，以更快地执行。这创造了加速器发动机家族。
关于MOSYS单片电路系统
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单片电路系统简介
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