IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
| 数量 | 单价(含税) | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 3259.711166 | 3259.71 |
| 10 | 3121.992654 | 31219.93 |
| 25 | 3053.126315 | 76328.16 |
| 数量 | 单价(含税) | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 3096.506017 | 3096.51 |
| 10 | 2965.616055 | 29656.16 |
| 25 | 2900.200824 | 72505.02 |
| 100 | 2703.946633 | 270394.66 |
| 250 | 2682.140612 | 670535.15 |
| 数量 | 单价(含税) | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 756.807208 | 756.81 |
| 10 | 706.074774 | 7060.75 |
| 25 | 676.485341 | 16912.13 |
| 100 | 591.924673 | 59192.47 |
| 250 | 570.784506 | 142696.13 |
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