货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥58.965648 | ¥58.97 |
10 | ¥52.347563 | ¥523.48 |
25 | ¥49.924249 | ¥1248.11 |
100 | ¥46.450998 | ¥4645.10 |
250 | ¥44.298876 | ¥11074.72 |
500 | ¥42.731683 | ¥21365.84 |
1000 | ¥41.226194 | ¥41226.19 |
2500 | ¥39.310681 | ¥98276.70 |
制造商 GeneSiC Semiconductor
商标 GeneSiC Semiconductor
产品 MOSFET
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 10 A
漏源电阻 350 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 15 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 63 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 1.8 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 MOSFET
典型关闭延迟时间 6 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 SiC MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0G3R350MT12D
型号:G3R350MT12D
品牌:GENESIC
供货:锐单
单价:
1+: | ¥58.965648 |
10+: | ¥52.347563 |
25+: | ¥49.924249 |
100+: | ¥46.450998 |
250+: | ¥44.298876 |
500+: | ¥42.731683 |
1000+: | ¥41.226194 |
2500+: | ¥39.310681 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥58.97