IGN1011L70
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- 制造商编号：
- IGN1011L70
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
- 渠道：
- digikey
库存 ：11
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2698.279073 | ￥2698.28 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IGN1011L70
制造商
Integra Technologies Inc.
商品描述
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
系列
-
包装方式
Bulk
零件状态
Active
晶体管类型
GaN HEMT
频率
1.03GHz ~ 1.09GHz
增益
22dB
额定电流（安培）
-
噪声系数
-
功率 - 输出
80W
封装/外壳
PL32A2
供应商器件封装
PL32A2
电压 - 测试
50 V
电流 - 测试
22 mA
电压 - 额定
120 V
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注
IGN1011L70品牌厂家：Integra Technologies Inc.
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、IGN1011L70
数据手册PDF。
IGN1011L70
型号：IGN1011L70
品牌：Integra Technologies Inc.
供货：锐单
库存：11 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2698.279073 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2698.28