IRLML6401
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- 制造商编号：
- IRLML6401
- 制造商：
- MW(台湾明纬)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.3A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：950mV @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.3W 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ￥0.269787 | ￥2.70 |
| 100 | ￥0.218905 | ￥21.89 |
| 300 | ￥0.193465 | ￥58.04 |
| 3000 | ￥0.169181 | ￥507.54 |
| 6000 | ￥0.153916 | ￥923.50 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRLML6401
制造商
MW(台湾明纬)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.3A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：950mV @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 4.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.3W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-12V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
4.3A
栅源极阈值电压
950mV @ 250uA
漏源导通电阻
50mΩ @ 4.3A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
1.3W
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
IRLML6401品牌厂家：MW
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
IRLML6401
型号：IRLML6401
品牌：MW
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10+： | ￥0.269787 |
| 100+： | ￥0.218905 |
| 300+： | ￥0.193465 |
| 3000+： | ￥0.169181 |
| 6000+： | ￥0.153916 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00