CJ2301 S1
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- 制造商编号：
- CJ2301 S1
- 制造商：
- CJ(长晶科技)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：112mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：20
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 20 | ￥0.177568 | ￥3.55 |
| 200 | ￥0.139432 | ￥27.89 |
| 600 | ￥0.122604 | ￥73.56 |
| 3000 | ￥0.109819 | ￥329.46 |
| 9000 | ￥0.104792 | ￥943.13 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
CJ2301 S1
制造商
CJ(长晶科技)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：112mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
2.3A
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
112mΩ @ 2.8A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
350mW
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
CJ2301 S1品牌厂家：CJ
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
CJ2301 S1
型号：CJ2301 S1
品牌：CJ
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 20+： | ￥0.177568 |
| 200+： | ￥0.139432 |
| 600+： | ￥0.122604 |
| 3000+： | ￥0.109819 |
| 9000+： | ￥0.104792 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00