L2N7002SWT1G
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- 制造商编号：
- L2N7002SWT1G
- 制造商：
- LRC(乐山无线电)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：320mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：50
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ￥0.106932 | ￥5.35 |
| 500 | ￥0.084757 | ￥42.38 |
| 3000 | ￥0.072437 | ￥217.31 |
| 6000 | ￥0.065046 | ￥390.28 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
L2N7002SWT1G
制造商
LRC(乐山无线电)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：320mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
320mA
栅源极阈值电压
2V @ 250uA
漏源导通电阻
2.8Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
300mW
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
L2N7002SWT1G品牌厂家：LRC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、L2N7002SWT1G
数据手册PDF。
L2N7002SWT1G
型号：L2N7002SWT1G
品牌：LRC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 50+： | ￥0.106932 |
| 500+： | ￥0.084757 |
| 3000+： | ￥0.072437 |
| 6000+： | ￥0.065046 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00