L2N7002DW1T1G
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- 制造商编号：
- L2N7002DW1T1G
- 制造商：
- LRC(乐山无线电)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：380mW 类型：双N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：1909
货期：国内（1~3工作日）
起订量：20
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 20 | ￥0.125659 | ￥2.51 |
| 200 | ￥0.117552 | ￥23.51 |
| 500 | ￥0.109445 | ￥54.72 |
| 1000 | ￥0.101338 | ￥101.34 |
| 3000 | ￥0.097284 | ￥291.85 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
L2N7002DW1T1G
制造商
LRC(乐山无线电)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：380mW 类型：双N沟道
漏源电压（Vdss）
-60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
115mA(Tc)
栅源极阈值电压
2V @ 250uA
漏源导通电阻
7.5Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
380mW
类型
双N沟道
包装方式
编带
L2N7002DW1T1G 同类别型号
注
L2N7002DW1T1G品牌厂家：LRC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、L2N7002DW1T1G
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L2N7002DW1T1G
型号：L2N7002DW1T1G
品牌：LRC
供货：锐单
库存：1909 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 20+： | ￥0.125659 |
| 200+： | ￥0.117552 |
| 500+： | ￥0.109445 |
| 1000+： | ￥0.101338 |
| 3000+： | ￥0.097284 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00