SI2301B
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- 制造商编号：
- SI2301B
- 制造商：
- MW(台湾明纬)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A(Tj) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：120mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：20
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 20 | ￥0.141429 | ￥2.83 |
| 200 | ￥0.114609 | ￥22.92 |
| 600 | ￥0.099709 | ￥59.83 |
| 3000 | ￥0.082849 | ￥248.55 |
| 9000 | ￥0.0751 | ￥675.90 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI2301B
制造商
MW(台湾明纬)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A(Tj) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：120mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
2.5A(Tj)
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
120mΩ @ 2.8A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
350mW
类型
P沟道
包装方式
编带
SI2301B 同类别型号
注
SI2301B品牌厂家：MW
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
SI2301B
型号：SI2301B
品牌：MW
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 20+： | ￥0.141429 |
| 200+： | ￥0.114609 |
| 600+： | ￥0.099709 |
| 3000+： | ￥0.082849 |
| 9000+： | ￥0.0751 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00