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LP2301BLT1G

LRC(乐山无线电)
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制造商编号:
LP2301BLT1G
制造商:
LRC(乐山无线电)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:P沟道
渠道:
自营

库存 :190

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 0.182916 0.18
30 0.175934 5.28
100 0.168952 16.90
500 0.154989 77.49
1000 0.148007 148.01

规格参数

属性
参数值

制造商型号

LP2301BLT1G

制造商

LRC(乐山无线电)

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW 类型:P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

2.8A

栅源极阈值电压

900mV @ 250uA

漏源导通电阻

100mΩ @ 2.8A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)

900mW

类型

P沟道

包装方式

编带

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型号:LP2301BLT1G

品牌:LRC

供货:锐单

库存:190 MPQ:4000 MOQ:1

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1+: ¥0.182916
30+: ¥0.175934
100+: ¥0.168952
500+: ¥0.154989
1000+: ¥0.148007

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