CS4N60A3HD
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- 制造商编号：
- CS4N60A3HD
- 制造商：
- 华润华晶(华润华晶)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
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整装： ￥10
定价（含税）
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
CS4N60A3HD
制造商
华润华晶(华润华晶)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
4A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
2.3Ω @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
75W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
CS4N60A3HD 同类别型号
注
CS4N60A3HD品牌厂家：华润华晶
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
CS4N60A3HD
型号：CS4N60A3HD
品牌：华润华晶
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00