L2N7002WT1G
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- 制造商编号：
- L2N7002WT1G
- 制造商：
- LRC(乐山无线电)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：2136
货期：国内（1~3工作日）
起订量：50
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ￥0.112421 | ￥5.62 |
| 150 | ￥0.095179 | ￥14.28 |
| 1000 | ￥0.077936 | ￥77.94 |
| 5000 | ￥0.071039 | ￥355.20 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
L2N7002WT1G
制造商
LRC(乐山无线电)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
115mA
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
7.5Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
225mW
类型
N沟道
包装方式
编带
L2N7002WT1G 同类别型号
注
L2N7002WT1G品牌厂家：LRC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购L2N7002WT1G、查询L2N7002WT1G代理商；
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替代型号
、L2N7002WT1G
数据手册PDF。
L2N7002WT1G
型号：L2N7002WT1G
品牌：LRC
供货：锐单
库存：2136 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 50+： | ￥0.112421 |
| 150+： | ￥0.095179 |
| 1000+： | ￥0.077936 |
| 5000+： | ￥0.071039 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00