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WSD3045DN

WINSOK(微硕)
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制造商编号:
WSD3045DN
制造商:
WINSOK(微硕)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc),15.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10.5mΩ @ 6A,10V;24mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W(Tc) 类型:N沟道和P沟道
渠道:
自营

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整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 1.5435 1.54
30 1.488375 44.65
100 1.43325 143.32
500 1.323 661.50
1000 1.267875 1267.88

规格参数

属性
参数值

制造商型号

WSD3045DN

制造商

WINSOK(微硕)

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc),15.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10.5mΩ @ 6A,10V;24mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W(Tc) 类型:N沟道和P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

18A(Tc),15.3A(Tc)

栅源极阈值电压

2.5V @ 250uA

漏源导通电阻

10.5mΩ @ 6A,10V;24mΩ @ 6A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

2.1W(Tc)

类型

N沟道和P沟道

包装方式

编带

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型号:WSD3045DN

品牌:WINSOK

供货:锐单

库存:0 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥1.5435
30+: ¥1.488375
100+: ¥1.43325
500+: ¥1.323
1000+: ¥1.267875

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