WSD3045DN
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- 制造商编号：
- WSD3045DN
- 制造商：
- WINSOK(微硕)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc),15.3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10.5mΩ @ 6A,10V;24mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：N沟道和P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.5435 | ￥1.54 |
| 30 | ￥1.488375 | ￥44.65 |
| 100 | ￥1.43325 | ￥143.32 |
| 500 | ￥1.323 | ￥661.50 |
| 1000 | ￥1.267875 | ￥1267.88 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
WSD3045DN
制造商
WINSOK(微硕)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc),15.3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10.5mΩ @ 6A,10V;24mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 类型：N沟道和P沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
18A(Tc),15.3A(Tc)
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
10.5mΩ @ 6A,10V;24mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
2.1W(Tc)
类型
N沟道和P沟道
包装方式
编带
WSD3045DN 同类别型号
注
WSD3045DN品牌厂家：WINSOK
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购WSD3045DN、查询WSD3045DN代理商；
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、WSD3045DN
数据手册PDF。
WSD3045DN
型号：WSD3045DN
品牌：WINSOK
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.5435 |
| 30+： | ￥1.488375 |
| 100+： | ￥1.43325 |
| 500+： | ￥1.323 |
| 1000+： | ￥1.267875 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.54