UF840KG-TN3-R
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- 制造商编号：
- UF840KG-TN3-R
- 制造商：
- TC(德昌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：870mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：107W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.500969 | ￥3.50 |
| 10 | ￥3.012956 | ￥30.13 |
| 30 | ￥2.800776 | ￥84.02 |
| 100 | ￥2.588596 | ￥258.86 |
| 500 | ￥2.450679 | ￥1225.34 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
UF840KG-TN3-R
制造商
TC(德昌)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：870mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：107W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
8A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
870mΩ @ 4.4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
107W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
UF840KG-TN3-R 同类别型号
注
UF840KG-TN3-R品牌厂家：TC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、UF840KG-TN3-R
数据手册PDF。
UF840KG-TN3-R
型号：UF840KG-TN3-R
品牌：TC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.500969 |
| 10+： | ￥3.012956 |
| 30+： | ￥2.800776 |
| 100+： | ￥2.588596 |
| 500+： | ￥2.450679 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.50