WNM6002-3/TR
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- 制造商编号：
- WNM6002-3/TR
- 制造商：
- WILLSEMI(韦尔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 370mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：370mW 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：20
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 20 | ￥0.222561 | ￥4.45 |
| 200 | ￥0.183697 | ￥36.74 |
| 600 | ￥0.162104 | ￥97.26 |
| 3000 | ￥0.14915 | ￥447.45 |
| 9000 | ￥0.137922 | ￥1241.30 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
WNM6002-3/TR
制造商
WILLSEMI(韦尔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：2Ω @ 370mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：370mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
300mA
栅源极阈值电压
2V @ 250uA
漏源导通电阻
2Ω @ 370mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
370mW
类型
N沟道
包装方式
编带
WNM6002-3/TR 同类别型号
注
WNM6002-3/TR品牌厂家：WILLSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购WNM6002-3/TR、查询WNM6002-3/TR代理商；
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替代型号
、WNM6002-3/TR
数据手册PDF。
WNM6002-3/TR
型号：WNM6002-3/TR
品牌：WILLSEMI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 20+： | ￥0.222561 |
| 200+： | ￥0.183697 |
| 600+： | ￥0.162104 |
| 3000+： | ￥0.14915 |
| 9000+： | ￥0.137922 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00