KIA50N03BD
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- 制造商编号：
- KIA50N03BD
- 制造商：
- KIA
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：9.9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥0.75852 | ￥3.79 |
| 20 | ￥0.687409 | ￥13.75 |
| 100 | ￥0.616298 | ￥61.63 |
| 500 | ￥0.545186 | ￥272.59 |
| 1000 | ￥0.512001 | ￥512.00 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
KIA50N03BD
制造商
KIA
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：9.9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
50A(Tc)
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
9.9mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
60W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
KIA50N03BD品牌厂家：KIA
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、KIA50N03BD
数据手册PDF。
KIA50N03BD
型号：KIA50N03BD
品牌：KIA
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥0.75852 |
| 20+： | ￥0.687409 |
| 100+： | ￥0.616298 |
| 500+： | ￥0.545186 |
| 1000+： | ￥0.512001 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00