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KIA50N03BD

KIA
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制造商编号:
KIA50N03BD
制造商:
KIA
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9.9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道
渠道:

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定价(含税)

数量 价格 总计
5 0.75852 3.79
20 0.687409 13.75
100 0.616298 61.63
500 0.545186 272.59
1000 0.512001 512.00

规格参数

属性
参数值

制造商型号

KIA50N03BD

制造商

KIA

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9.9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

50A(Tc)

栅源极阈值电压

3V @ 250uA

漏源导通电阻

9.9mΩ @ 15A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

60W(Tc)

类型

N沟道

包装方式

编带

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型号:KIA50N03BD

品牌:KIA

供货:锐单

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20+: ¥0.687409
100+: ¥0.616298
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