UMW2N7002B
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- 制造商编号：
- UMW2N7002B
- 制造商：
- MW(台湾明纬)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道
- 渠道：
库存 ：6030
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
UMW2N7002B
制造商
MW(台湾明纬)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：225mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
115mA
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
5Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
225mW
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
UMW2N7002B品牌厂家：MW
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、UMW2N7002B
数据手册PDF。
UMW2N7002B
型号：UMW2N7002B
品牌：MW
供货：锐单
库存：6030 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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