WSD2050DN
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- 制造商编号：
- WSD2050DN
- 制造商：
- WINSOK(微硕)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：280
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.159785 | ￥1.16 |
| 10 | ￥1.11683 | ￥11.17 |
| 100 | ￥1.013738 | ￥101.37 |
| 500 | ￥0.962192 | ￥481.10 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
WSD2050DN
制造商
WINSOK(微硕)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
40A(Tc)
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
14mΩ @ 7A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
28W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
WSD2050DN品牌厂家：WINSOK
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、WSD2050DN
数据手册PDF。
WSD2050DN
型号：WSD2050DN
品牌：WINSOK
供货：锐单
库存：280 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.159785 |
| 10+： | ￥1.11683 |
| 100+： | ￥1.013738 |
| 500+： | ￥0.962192 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.16