WNM2021-3/TR
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- 制造商编号：
- WNM2021-3/TR
- 制造商：
- WILLSEMI(韦尔)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：820mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：310mΩ @ 550mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310mW 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：528
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ￥0.579838 | ￥5.80 |
| 100 | ￥0.476302 | ￥47.63 |
| 600 | ￥0.401277 | ￥240.77 |
| 1200 | ￥0.339405 | ￥407.29 |
| 3000 | ￥0.334312 | ￥1002.94 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
WNM2021-3/TR
制造商
WILLSEMI(韦尔)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：820mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：850mV @ 250uA 漏源导通电阻：310mΩ @ 550mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310mW 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
820mA
栅源极阈值电压
850mV @ 250uA
漏源导通电阻
310mΩ @ 550mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
310mW
类型
N沟道
包装方式
编带
WNM2021-3/TR 同类别型号
注
WNM2021-3/TR品牌厂家：WILLSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、WNM2021-3/TR
数据手册PDF。
WNM2021-3/TR
型号：WNM2021-3/TR
品牌：WILLSEMI
供货：锐单
库存：528 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10+： | ￥0.579838 |
| 100+： | ￥0.476302 |
| 600+： | ￥0.401277 |
| 1200+： | ￥0.339405 |
| 3000+： | ￥0.334312 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00