WSD20L120DN
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- 制造商编号：
- WSD20L120DN
- 制造商：
- WINSOK(微硕)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W(Tc) 类型：P沟道
- 渠道：
库存 ：444
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
WSD20L120DN
制造商
WINSOK(微硕)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：130W(Tc) 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
120A(Tc)
栅源极阈值电压
1V @ 250uA
漏源导通电阻
2.7mΩ @ 20A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
130W(Tc)
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
WSD20L120DN品牌厂家：WINSOK
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、WSD20L120DN
数据手册PDF。
WSD20L120DN
型号：WSD20L120DN
品牌：WINSOK
供货：锐单
库存：444 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00